求帮助！半导体XRD测试具体的分析方式与步骤？ 还请不吝赐

半导体XRD测试原理,是Bragg方程,即nλ=2*d*sinθ,其中λ为入射线波长,d为晶面间距,θ为衍射角.换言之,XRD对于晶体结构的测试才是有效的.因为晶体都会存在其特有的结晶学特征,也就是空间点阵,14种Bravais格子代表了其晶格类型,晶面参数又限定了其结点间的相对数量关系.于是,参考Bragg方程,让X射线通过晶体,只要满足Bragg衍射条件,便能提供晶体内原子排布的信息.所以,不管是采用德拜照相法、衍射仪法等,都会在θ角观测到衍射.当然,也可以说XRD的基础是Laue衍射条件,但其实它和Bragg衍射条件本质是一致的,只是表达不同.

“半导体XRD测试的分析方法和步骤：1、在衍射仪获得的XRD图谱上，如果样品是较好的“晶态“物质，图谱的特征是有若干或许多个一般是彼此独立的很窄的“尖峰”。 2、如果这些“峰”明显地变宽，则可以判定样品中的晶体的颗粒尺寸将小于300nm，可以称之为“微晶。 3、Scherrer (1918)揭示了衍射峰的增宽是对应晶面方向上的原子厚度(层数)不足以在偏离Bragg条件下相干减弱(destructivelyinterference)衍射峰。 当衍射峰宽度增加到接近其高度时(或高度下降到接近其宽度时), 可认为样品是非晶。 4、同一物质的话，峰窄说明晶粒比较大，和结晶度无关。同一台仪器测试且测试条件相同的情况下，峰高的比较多才能说明结晶情况较好。

半导体XRD测试常规扫描可以知道晶体的物相，用高温附件可知道在温度变化情况下的物相变化。小角衍射可知道粘土等层状材料的层间距，掠入射模式可测得纳米薄膜材料厚度，还有些特殊工具可测晶体的残余应力、织构信息等。通过对XRD结果分析，还可以测得晶体掺杂情况、物相占比情况等等。