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通常TFT有源材料是硅薄膜，根据硅薄膜结构不同，晶体管分为非晶硅TFT（a-Si TFT）、多晶硅（p-Si TFT）和单晶硅MOSFET（c-Si MOSFET）。此外采用有机材料制备的TFT，称为有机TFT（或者OTFT）。

a-Si：TFT的典型结构形式

不同的结构形式，制作方法和电学性能也各不相同。目前，常用的是反交错型结构。栅极和源极、漏极位于半导体层的两侧，这种结构也称为底栅TFT。首先在玻璃衬底上沉积栅极金属层，然后依次沉积绝缘层、a-Si：H层、n+a-Si：H和源极、漏极金属层。

薄膜晶体管自上世纪60年代发明开始， 已经得到了非常广泛的推广和应用，阳江显示模块， 发展速度之快超乎想象。从非晶硅TFT 到多晶硅TFT， 从高温多晶硅TFT 到低温多晶硅TFT， 技术越来越成熟， 应用的对象也从只是驱动LCD 发展到既可以驱动LCD 也可以驱动OLED、甚至电子纸。随着半导体工艺的水平的不断提高，像素尺寸不断减小， 显示屏的分辨率也越来越高。

TFT寻址的液晶显示器以其大容量、高清晰度和全彩色的视频显示成为液晶乃至整个平板显示的主导技术，白云区工控设备显示模块定制，相关的高技术产业也成为目前的主要投资方向。TFT制造技术在以其寻址的液晶显示器中处于关键地位，它的研发历来是研究中的重点。

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背光照明的作用首先体现在亮度补偿。液晶分子对光线的调节类似光阀，通过控光线的阻挡和通过比例形成灰阶与色彩变化。没有背光，通讯设备显示模块定制，液晶屏只能呈现微弱的自然反射光，这会严重限制在室内或弱光环境下的可视性。背光块能够稳定提供光源使显示画面具有足够的亮度，满足长时间使用的视觉需求。

影响偏光片外观性能的主要因素也是多方面的。主要有：偏光片生产的环境净化条件、偏光片生产的材料选择、偏光片生产的设备条件、偏光片生产的工艺流程和工艺配方、偏光片包装、储存、运输条件，以及偏光片在客户使用时的存放环境和加工方法。总之，偏光片是一种非常“娇气”的产品，必须仔细地加以保管和使用，否则就很容易造成表面凹点、黑点和翘曲等表面不良的出现。

其次，背光照明有助于提升色彩还原度。LCD液晶屏的彩色显示依赖RGB滤光片实现，不同颜像素透过的光强直接影响色彩饱和度和准确度。如果光源亮度不足或色温不稳定，屏幕显示会偏色或暗淡。现代背光系统多采用LED光源，咖啡机显示模块工厂，具备较高的色温稳定性与光谱均衡性，可改善色彩一致性，使画面更接近真实场景。

从结构设计上看，LCD液晶屏的背光系统通常由光源、导光板、扩散片、增光膜等组成。光源提供初始光能，导光板将光线均匀分布到屏幕各区域，扩散片去除亮斑，增光膜提升光利用效率。这一组合不仅保证了亮度均匀性，还避免了局部亮度过高引发的视觉疲劳。背光照明系统的质量直接影响屏幕显示的均衡性与稳定性

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TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：

1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。

2.沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。

首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。 SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。

液晶显示器在完成了制屏工艺后，咖啡机显示模块定制，还需要绑定驱动电路等部件才能实现显示。将液晶屏、驱动电路、柔性线路板（FPC)、印刷电路板板(PCB)、背光源、结构件绑定组装在一起的工艺称为液晶显示器的模块工艺，又称为模组工艺。根据绑定IC方式的不同，液晶显示模块工艺又可以分为：COB工艺、TAB工艺、COG工艺和COF工艺。

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