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图形点阵模块是集成了点阵显示系统和驱动系统的显示器件，能够显示字符、图形及中文等信息。该模块采用X-Y矩阵像素排列，支持连续完整的图形显示 ，常见分辨率包括128×64、320×240等规格，是单片机系统中理想的显示器件，适用于智能仪器仪表、工业控制器、通信硬件及人机界面等领域。

模块硬件集成驱动电路与控制电路，内置SED1335控制器 ，支持1/32 duty驱动方法。可提供6×8、8×8等多种字符字体

一旦系统在更换显示分辨率、调整屏幕大小和次安装时都有会出现单击不准或漂移，家电显示屏哪家好，需启动应用程序中自带的定位程序重新定位，不过大家在定位时，仪器显示屏OEM定制，要使用比较细的笔或指尖进行定位，这样比较准。

如果用手或者其他触摸物来触摸表面声波液晶屏时，液晶屏反应很迟钝，这说明很有可能是液晶屏系统已经陈旧，内部时钟频率太低，或者是由于液晶屏表面有水珠在移动，要想让液晶屏恢复快速响应，必须重新更换或者升级系统，或者用抹布擦干液晶屏表面的水珠。

不要让液晶屏表面有水滴或其它软的东西粘在表面，否则液晶屏很容易错误认为有手触摸造成表面声波屏不准。另外在清除液晶屏表面上的污物时，您可以用柔软的干布或者清洁剂小心地从屏幕中心向外擦拭，或者用一块干的软布蘸工业酒精或玻璃清洗液清洁液晶屏表面

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薄膜晶体管（TFT）是平板显示器制造行业的技术，其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。

在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期，使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址，显示图像存在大量的串扰，即一个像素会被邻近像素的变化所干扰；后来提出了在每一个X-Y电极的交叉点设计一个具有开关作用的TFT薄膜晶体管和一个电容，用电容来存储和保持施加在该像素液晶上的电压。

Z早都是使用CdSe作为 TFT的有源层，1980年前后开始研究使用非晶硅材料做有源层的TFT特性。相比纯非晶硅，氢化非晶硅（a-Si：H）能通过施主和受主掺杂来分别形成N型和P型半导体材料，氢能钝化在非晶硅散乱网格中的由位于禁带中的大量悬挂键引起的缺陷态，钝化过程使得非晶硅具有类似晶体硅的特性。

尽管CdSe比a-Si：H的迁移率更高，但它是一种多晶态化合物半导体，它的特性受晶粒尺寸、晶界界面态和化学计量比等因素影响，且对周围的水汽和氧气敏感。a-Si：H无晶界、通过氢的钝化作用既不改变本体特性，又提高了其电学特性。a-Si：H TFT由于具有优良的电学特性、可在玻璃基板上制作，能部分集成周边驱动电路等特点，目前已经是应用Z广、工艺Z稳定、适合于批量生产的TFT技术。

氢化非晶硅薄膜晶体管根据有源层、栅极和漏极的位置可以划分为交错型、共面性、反交错型和面型。

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目前的液晶显示器广泛采用的是底栅结构。因为液晶显示的被动发光器件，即显示器背面需要一个背光源，仪器显示屏工厂，在底栅结构中不透光的栅极金属层能很好地把来自背光的光遮挡住，避免光线照到硅岛上产生载流子而影响薄膜晶体管的关态电流特性。目前面板厂都广泛采用背沟道（BCE）刻蚀结构，一方面是其电学特性能满足显示器的要求，另一方面该工艺在设计和技术上有所提升。

镀膜/Sputter:在近似真空的环境下，用电场加速惰性元素离子，轰击金属靶材，通过溅射沉积（sputter）在玻璃基板上形成一层金属薄膜。

靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氙气。电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材（什么金属？如何轰击？），溅射出大量的靶材原子，显示屏，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜;

光刻形成的ITO有3个作用：

1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。

2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。

3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

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