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半导体如锗和硅晶体的能带结构,类似于绝缘体,导带中没有电子而价带是满带,但其间的禁带宽度较小,如硅约1.1eV,德国贝克BECKER螺杆泵,锗约0.7eV。常温下,由于热运动,少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”,这些电子可以通过电子导电形成电流。

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在半导体里,出现了空穴这样一个名词。 当参杂B进入Si内此时B会以B+e-=B-和Si形成稳定共价键,即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子)使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键故每加入1个B原子将产生一个空穴空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道。

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电场和磁场的物理性质首先是通过力表现出来的。静止的点电荷将受到一定的作用力,产生这个作用力的原因就是电场。如果电荷在运动,那么还会额外受到一个作用力,产生这个作用力的原因就是磁感应强度。这两种力统称为洛伦兹力,设点电荷电量为q,其受到的洛仑兹力F表示如下:

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