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1.TFT 结构:TFT是由多个薄膜层组成的结构。其中包括透明导电层(一般为透明的氧化铟锡涂层，ITO层)，绝缘层(般为二氧化硅或硅氧化铝)，以及半导体层(多品硅或非晶硅)。

2.偏压施加:在TFT中，电场通过透明导电层施加在半导体层上，仪器显示屏控制系统找哪里，可以调节半导体层的导电性。

3.管道形成:由于施加的电压，半导体层中部分区域的导电特性会发生变化，形成了导电通道。这个导电通道可以控制液晶的透过性，从而控制显示器上的像素显示。

TFT薄膜晶体管阵列（TFTArray） 这是TFT液晶屏的。这层位于下玻璃基板上，由密集的薄膜晶体管组成，每个像素点都对应一个独立的TFT开关。这些微小的开关负责控制流向每个像素的电压，清远显示屏控制系统，确保像素能够被独立、稳定地控制。

液晶层（LiquidCrystalLayer） 这是面板的中央层，夹在两片玻璃基板之间。它由液晶分子构成。这些分子在没有电场时呈无序排列，而在施加电压后会按特定方向旋转。正是这种特性，使得它们能够像一个“光阀”，控制穿过每个像素点的光线量。

其它辅助层 除了以上结构，面板内还有一些辅助层，如： 取向膜（AlignmentLayer）：用于让液晶分子在没有施加电压时，能够按特定方向排列。 隔垫物（Spacer）：均匀分布在两片玻璃基板之间，以确保两者之间的距离（即盒厚）始终保持一致。 密封胶：用于密封两片玻璃基板，防止液晶分子泄漏。

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彩色 TFT 液晶屏主要有 2 种接口： TTL 接口（ RGB 颜色接口） ， LVDS接口（将 RGB 颜色打包成差分信号传输）。 TTL 接口主要用于 12.1 寸一下的小尺寸 TFT 屏， LVDS 接口主要用于 8 寸以上的大尺寸 TFT 屏。 TTL 接口线多， 传输距离短； LVDS 接口传输距离长， 线的数量少。 大屏采用较多的模式， 控制脚是 VSYNC ，HSYNC ， VDEN ，家电显示屏控制系统升级， VCLK ， S3C2440 Z高支持 24 个数据脚，家电显示屏控制系统电话， 数据脚是 VD[23-0] 。

CPU 或显卡发出的图像数据是TTL 信号（ 0-5V 、 0-3.3V 、 0-2.5V 、或 0-1.8V ）， LCD 本身接收的也是 TTL 信号，由于ＴＴＬ信号在高速率的长距离传输时性能不佳，抗干扰能力比较差，后来又提出了多种传输模式，比如LVDS 、 TDMS 、 GVIF 、 P&D 、 DVI 和 DFP 等。他们实际上只是将CPU 或显卡发出的 TTL 信号编码成各种信号以传输，在LCD 那边将接收到的信号进行*码得到ＴＴＬ信号。但是不管采用何种传输模式，本质的TTL 信号是一样的。注意： TTL/LVDS 分别是两种信号的传输模式，TTL 是高电平表示 1，低电平表示 0 的模式， LVDS是正负两个对应波形，用两个波形的差值来表示当前是1 还是 0

MCU 接口的 LCD 的 Driver IC 都带 GRAM ， Driver IC 作为 MCU 的一片协处理器，接受 MCU 发过来的 Command/Data，可以相对独立的工作。对于 MCU接口的LCM（ LCDModule），其内部的芯片就叫 LCD驱动器。主要功能是对主机发过的数据/ 命令，进行变换，变成每个象素的 RGB数据，使之在屏上显示出来。这个过程不需要点、行、帧时钟。

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成膜

顾名思义，成膜就是通过物理或化学的手段在玻璃基板的表面形成一层均匀的覆盖层。在TFT 阵列制作过程中，我们会用到磁控溅射（Sputter，或称物理气相沉积PVD）和等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）

磁控溅射（Sputter）

溅射是在真空条件下，用 He 气作为工作气体。自由电子在直流 DC 电场的作用下加速获得能量，高能电子碰撞 He 原子，产生等离子体。He 离子在DC 电场的作用下，加速获得能量，轰击在靶材上，将靶材金属或化合物原子溅射出来，沉积在附近的玻璃基板上，Z后形成膜。

TFT 沟道刻蚀主要是刻掉非晶硅表面的一层N 型参杂的接触层。这一层具有改善接触电阻的作用。但这一层在沟道的部分必须完全刻蚀干净，否则沟道短路或漏电流偏大。沟道是否刻蚀干净，用光学的办法不能检测，因为 N 型参杂层是透明的。所以在沟道刻蚀后插入开路/短路（O/S）电测。

开路/短路电测的原理很简单：将两个探针放在电极的两端，检测电流以判断电极是否开路；将两个探针放在相邻的两个电极上，检测电流以判断这两个电极间是否短路。

TFT液晶屏的不足与改进方向

尽管TFT液晶屏在显示领域应用广泛，但它仍有一些限制:

可视角度有限:从侧面观看时，亮度和色彩会有衰减

能耗依赖背光:与自发光的OLED相比，功耗更高。

厚度限制:受制于背光模块，难以做到超薄极限。

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