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非晶硅a-si半导体

a-si半导体主要有电学、光学和开关特性。电学特性主要体现在载流子迁移率上；光学特性要求用于TFT开关的a-si的薄膜表面要均匀、折射率高、透光性能好；开关特性是指在外加电压的作用下，TFT器件的能带发生变化，形成低沟道电阻的开态和高沟道电阻的关态。

金属材料

在非晶硅a-si TFT-LCD Array阵列基板中，使用到的非金属材料主要有半导体a-si薄膜和SiNx薄膜。

其中，半导体a-si薄膜又可以分为用作导电沟道的本征层a-si（因为含有H，所以也常用a-si:H来表示）和用作欧姆接触的重掺杂N+ a-si。

a-si半导体：又称无定型硅，仪器显示屏控制系统厂家，单质硅的一种形态，是一种直接能带半导体。主要作用是起到载流子传输，是使用多年较成熟的技术。

但是由于它的载流子迁移率只只有0.3-1 cm2/V·S，需要占用很多空间，所以不适合高分辨率显示面板，但制造工艺相对简单，生产成本低，Z常用于中低端TFT-LCD显示面板。

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系统架构与关键电路

面板侧：由栅极驱动（Gate Driver）、源极驱动（Source Driver）、时序控制器（T?CON）、公共电极驱动（VCOM）与灰度/伽马电压生成构成；T?CON产生行/场时序并协调源/栅驱动；源驱动将数字数据经DAC输出精*灰阶电压；VCOM提供公共参考并与像素电极形成所需电场。

供电侧：需产生面板所需的AVDD/VDD、TFT栅极开启/关断电压VGH/VGL以及VCOM。常用电荷泵/升压方案（如多路DC?DC）提供正/负高压；VCOM既可采用固定电平，也可采用VCOM翻转以抑制累积性直流误差与闪烁。

背光侧：TFT?LCD为被动发光，需LED背光。常用恒流驱动+PWM调光（或模拟调光）以兼顾亮度、均匀性与寿命

接口与嵌入式实现

MCU直驱（带/不带LCD控制器）：

带LCD控制器的MCU（如NXP LPC1788）可内置帧缓存（Frame Buffer）与LCD DMA，仪器显示屏控制系统联系方式，通过并口/RGB或8080类总线直接刷新屏幕，中山显示屏控制系统，CPU占用低。

无控制器的MCU可用并口8080/SPI驱动带控制器的模组（如ILI9341）；借助FSMC等并口外设可高*输出命令与像素数据，适合中等复杂度UI。

处理器+RGB接口：如S3C2440A等SoC自带TFT控制器，按面板手册配置HSYNC/VSYNC/DE/CLK与RGB565/RGB888时序即可；需同步设计AVDD/VGH/VGL/VCOM与背光驱动，确保电压、时序、亮度与均匀性达标

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功能模块独立性是通过制定具有单一功能并且和其他功能模块没有过多联系的功能模块来实现的。每个功能模块只涉及该软件要求的一个具体子功能，而且与软件结构的其他部分的接口是简单的。

功能模块独立性好的软件接口简单，易于编制，仪器显示屏控制系统加工厂，独立的功能模块也比较容易测试和维护，限制了功能模块之间由于联系紧密而引起的修改副作用。独立性是保证软件质量的重要因素。

功能模块的作用范围是指受该功能模块内一个判定影响的所有功能模块的集合。功能模块的控制范围是指这个功能模块本身以及所有直接或间接从属于它的功能模块的集合。在一个设计得很好的系统中，所有受判定影响的功能模块应该都从属于作出判定的那个功能模块，Z好局限于做出判定的那个功能模块本身及它的直接下级模块。对于那些不满足这一条件的软件结构修改的办法是：将判*点上移或者将那些在作用范围内但是不在控制范围内的功能模块移植到控制范围内。

LCD通过把液晶灌入到两个具有细槽点平面里，两个平面呈现九十度的直角关系，具有不同方向的分子排练，光线通过不同的方向进行传播，经过液晶扭转到九十度。如果液晶上增加另外的电压，就会让分子进行重新的排列，光线直射进行，不会进行任何的扭转。LCD依靠光线极化滤光器来进行光线的传播。

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