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TFT液晶屏的工艺流程

1. 阵列制作：首先，通过半导体工艺，在玻璃基板上形成薄膜晶体管阵列。每个薄膜晶体管控制一个像素点的亮度。

2. 彩色滤光片制作：接着，在阵列基板上覆盖彩色滤光片，每个像素点对应一种颜色。

3. 液晶层填充：然后，将液晶材料注入到阵列与彩色滤光片之间，形成液晶层。

4. 背光模块安装：在液晶层的背面安装背光模块，为屏幕提供光源。

5. 封接与测试：后，将阵列、彩色滤光片、液晶层和背光模块封接在一起，形成完整的TFT液晶屏。经过测试后，显示屏控制系统，产品即可投入市场。

TFT Array玻璃上面有无数的画素(pixel)排列，彩色滤光片则是画面颜色的来源。LCD一般于上下透明电极间灌入液晶层，夹在TFT Array玻璃与彩色滤光片这两片玻璃基板之间。当电压施於TFT(电晶体)时，液晶转向，光线便穿过液晶在面板上产生一个画素，此光源由背光模组负责提供。而欲使背光模块产生并透过液晶的光线具有不同的颜色，那就需要红、蓝、绿(R/B/G)三种颜色的色阻成膜在彩色滤光片玻璃上，搭配灰阶产生全彩效果。例如，当屏幕显示蓝天的时候，有电晶体的ITO玻璃就会发出讯号，只让蓝光可以穿透彩色滤光片，而将红色光及红色光留在显示器里面。这样我们在显示器上就只能看到蓝色的光了。

在分别完成TFT基板和CF基板制作后，接着将CF上板与TFT下板间灌注厚度约3~4um 液晶并对组贴合，Z后附上偏光板(Polarizer)，此段制程称为「LCD制程」;而后的「LCM 制程」，其为驱动IC以及控制电路板(PCBA)与玻璃基板的连接(JI Process)，之后再与背光模块进行组装(MA Process) ，后就是模块的点灯检测

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晶盒的制备工艺 　首先是在上下基板表面分别涂敷聚酰*胺膜并通过摩擦工艺，形成可诱导分子按要求排列的取向膜。之后在tft阵列基板周边布好密封胶材料，并在基板上喷洒衬垫。同时在cf基板的透明电极末端涂布银浆。然后将两块基板对位粘接，使cf图案与tft像素图案一一对正，再经热处理使密封材料固化。在印刷密封材料时，需留下*入口，以便抽真空灌注液晶。 　近年来，随着技术进步和基板尺寸的不断加大，在盒的制做工艺上也有很大的改进，比较有代表性的是灌晶方式的改变，从原来的成盒后灌注改为odf法，即灌晶与成盒同步进行。另外.垫衬方式也不再采用传统的喷洒法，而是直接在阵列上用光刻法制作。

CCFL 可以简单理解为在屏幕背设置几根长形灯管，而LED则可以简单理解为在屏幕后设置许多矩形发光二极管。CCFL的背光设计主要有两种：“侧入式”与“直落式”，但由于侧入式因光导设计使得光折损率较高，进而让背光亮度受限，面板尺寸越大时亮度就越低。通常情况下，大尺寸LCD通常都是直落式的。在液晶面板中，消耗电源Z多的部份就是背光模块。LED背光可以在较低的功耗下，工控设备显示屏控制系统电话，达到更高的色彩饱和度和亮度，显示器可以做得很薄，已成为中小尺寸TFT-LCD面板中的主流背光源。

在LCD模组中，将CCFL的线性光源或LED的点状光源均匀转换成面光源时，需藉由扩散材料如扩散膜，旋钮屏控制模块找哪里，使光线形成漫射来达到匀光的效果。LCD扩散膜其原理系利用光在不同折射率的介质中穿过，光线产生许多折射、反射、散射的现象，于是造成光学扩散的效果。

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与LED的显示类似，LCD要显示出来有一定的门限电压，高于这个电压则会提高“亮度”，在LCD中一般称之为对比度，低于这个门限电压则完全不显示。这个们限电压在制作好的时候一般被称之为BIAS（偏置）。一般制作好的LCD屏幕，会告诉你一个驱动条件参数，通讯设备显示屏控制系统批发，类似：1/4 duty 1/3BIAS 这个BIAS即是这里的偏置，1/3是指偏置电压为工作电压的1/3。Duty是指驱动周期，有多少个COM，驱动该LCD就需要多少个周期

LCD采用表面排列技术，对刻有透明电极的玻璃进行表面处理，使液晶分子在液晶盒内的排列方向呈90°扭曲。线性偏振光进入扭曲的液晶盒后，偏振面旋转90°。加上电场后，由于正介电各向异性液晶分子的取向具有和电场方向排列一致的性质，故扭曲结构消失，线性偏振光可以直接通过液晶盒。去掉电场后，液晶分子的排列又恢复扭曲，使线性偏振光的偏振面旋转90°。因此，当扭曲液晶盒置于起、检偏振片之间时，改变两块偏振片的相对位置（正交或平行），就可得到白底黑字（正常开启）或黑底白字（正常关闭）的显示形式。扭曲效应LCD工作原理如图4所示，两块偏振片正交排列，故可获得白底黑字的显示形式。

不论TFT面板的设计如何的变化，通讯设备显示屏控制系统哪家好，制程如何的简化，其结构一定具备TF* device和控制液晶区域（光源若是穿透式的LCD，则此控制液晶的区域是使用ITO，但对于反射式的LCD则是使用高反射式率的金属，如Al等），TF* device是一个开关器，其功能就是控制电子跑到ITO区域的数量，当ITO区域流进去的电子数量达到我们想要的数值后，再将TF* device关掉，此时就将电子整个关在ITO区域。

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