在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,贵金属靶材,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
根据电解质的种类可分为氯化物熔盐体系和氟化物-氧化物熔盐体系电解法,多用于制取以镧为主的混合稀土金属以及镧、镨、钕等单一稀土金属。熔盐电解法为连续性生产过程,产量较大,设备简单,成本较低,但电解槽需用耐高温氯化物或氟化物腐蚀的结构材料制造。
还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后,贵金属靶材生产加工,可获得纯度超过99.9%的稀土金属产品。
在传统产业的应用领域中,对于的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长,贵金属靶材报价,甚至出现行业的淘汰而与无缘,例如照相用胶卷。科技的进步和发展,贵金属靶材技术,使传统产业发生剧烈的变迁,也使的供求状况出现急剧的变化,这种变化也是导致了的价格出现剧烈波动的因素之一。然而在传统产业不断的和转型中,依然成为选择的关键性材料,用更和更科学的工艺和手段,把的性能发挥得更淋漓尽致。
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