




公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管即可用于放大电流,又可以作为可变电阻,还能用作电子开关,现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中,MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上常见的是增强型N沟通MOS管,厂家可以用一个电压来控制G的电压。
基本方法:用一个控制电压(比较器同相输入端)和一个参考电压(比较器反相输入端),同时进入电压比较器,比较器的输出经过电阻上拉后接G脚,如果控制电压比参考电压高,则控制MOS管导通输出电流。

MOS管FET栅源保护:
1)避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic,其输出阻抗较低,直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连,有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动,或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生,中低压mos厂家,一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器,中低压mos公司,电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2)避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高,漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压,此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透,与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透,因此,要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下,余姚中低压mos,保护 MOS 管不被穿透。
3)安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大,但假如漏源极不用保护电路,一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压,从而毁坏 MOS 管,功率管电源开关速率越快,造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏,一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。

公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
功率MOSFET场效应管是较为常用的一类功率器件,中文全名是——金属氧化物半导体场效应管。它属于一种功率输出的器件,主要由金属、氧化物还有半导体三种材料构成。那么什么是功率MOSFET场效应管呢?
其实就是从名字来看,功率MOSFET场效应管就是它再工作时能输出较大的电流。场效应管的分类又分为很多种,中低压mos生产厂家,其中围绕功耗的特性我们可以分成增强型和耗尽型,如果按照沟道来选的话又可以分成N沟道型和P沟道型。
场效应管在输出功率的系统中,主要被当做系统的开关。如果我们在N沟道场效应管的栅极和源极之间再加上一个电压,就会让其电源开关导通。电源开关导通之后,电流即可经过电源开关从漏极流入源极。其中在漏极和源极之间会存在一个内电阻,我们一般叫做导通电阻器RDS(ON)。我们一定要清楚场效应管的栅极实际上是一个高特性的阻抗端,所以我们需要在栅极上再添加一个电压。当源极和栅极间的电压为零时,电源开关关掉,而电流量终止根据器件。尽管这时候器件早已关掉,但依然有细微电流量存有,这称作泄露电流IDSS。
因为场效应管是电气控制系统中基本上的构件之一,挑选恰当的场效应管对全部设计方案是不是取得成功起着重要的功效。仅有掌握场效应管的种类及掌握决策他们的关键特性特性,设计方案工作人员才可以对于特殊设计方案挑选恰当的场效应管。

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