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电子芯片和LED芯片有什么主要区别?

电子芯片和LED芯片有什么主要区别?

1,芯片的裸die尺寸相差不是太大,如cm/mm/0.1mm这个量级,但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路(常说的7nm/10nm工艺),IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程,由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司,也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的代工厂;而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极,LED外延片批发,里面的制程可能100um/10um级就够了,制造工艺流程也简单很多,从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。

2,芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高,前者可能影响性能,缺陷多了,中山LED外延片,载流子移动速度上不来,LED外延片供应商,如同一批货,LED外延片厂家供应,有的能跑2.8GHz频率,有的只能跑2G以下;LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级(印象中数据),否则严重影响发光效率,也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史,但大规模使用(如液晶屏幕背光)是这二十年来的事情,材料不行导致发光效率低是首要原因。

LED模组安装注意事项:

1.没有经过防水处理的LED模组,安装在吸塑字或者箱体时,应预防雨水进入。

2.LED模组的间距可根据亮度和模组大小等实际情况进行调整,每平方的数量一般在50-100组之间。在排布LED模组的时候,应注意发光的均匀和亮度需求;模组与字体边的距离一般为2-5公分,模组与模组间的垂直和水平距离建议为2-6CM。LED模组安装时不可推,挤压模组上的器件,以免造成器件的破坏,里面的连接线应该玻璃胶固定在地板上,以免遮光。

3.LED模组与发光体表面的距离要控制好,这样才能保证光的均匀性和亮度,所以灯箱的厚度也很重要。

LED芯片的分类有哪些呢?

MB芯片定义与特点

定义:Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。

特点:

(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。Thermal Conductivity;GaAs:46W/m-K;GaP:77W/m-K;Si:125~150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC:490W/m-K。

(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。

(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。

(4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。

(5)尺寸可加大,应用于High power领域,eg:42mil MB。

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