刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片→蚀刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片
HNO3反应氧化生成SiO2,收购组件,HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,组件收购,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
电路板清洗前的准备
一清洗前的准备清洗前必须把电路板上包括跳线插,卡板,电池和IC等所有的接插件小心一一拔出,电位器,变压器和螺线管线圈(电感线圈)也必须从电路板上卸下。[注意:非电子人员请勿进行此项操作,因若不具备电子技术,在拆卸时很容易损坏零部件和电路板,报废组件收购,幸好电脑相关的电路板上基本上没有这些元件]。
因此等元件一旦进水,其缝隙或线匝间的水滴很难被压缩气吹扫出来和水分很难被烘干,拆卸时必须逐一做好记录,以确保清洗完毕后复原时不致出错。同时顺便检查一下电路板上的电解电容是否有漏液或顶部鼓起的现象,如有,光优组件收购,则应将其卸除,并做好记录,以便在电路板清理完毕后换等值的新品。
对于电脑电源的电路板,则还应检查其印刷电路的焊盘与元件脚之间是否有裂纹活脱焊,特别重点检查大功率的元部件,如发现有裂纹活脱焊,应马上补焊,发现一处补焊一处,否则容易遗漏。
电路板清洗技术
半水清洗技术
半水清洗主要采用和去离子水,再加上一定量的活性剂、添加剂所组成的清洗剂。该类清洗介于溶剂清洗和水清洗之间。这些清洗剂都属于,属于可燃性溶剂,闪点比较高,毒性比较低,使用上比较安全,但是须用水进行漂洗,然后进行烘干。有些清洗剂中添加5%~20%的水和少量表面活性剂,既降低了可燃性,又可使漂洗更为容易。半水清洗工艺特点是:
1) 清洗能力比较强,能同时除去极性污染物和非极性污染物,洗净能力持久性较强;
2) 清洗和漂洗使用两种不同性质的介质,漂洗一般采用纯水;
3) 漂洗后要进行干燥。
该技术不足之处在于废液和废水处理是一个较为复杂和尚待解决的问题。
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