勘探210度高温存储器
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动态随机存取存储器的缺点
动态随机存取存储器(DRAM)是以一个电晶体加上一个电容来储存一个位(1bit)的资料,由于传统 DRAM 的电容都是使用“氧化矽”做为绝缘体,氧化矽的介电常数不够大(K 值不够大),因此不容易吸引(储存)电子与电洞,造成必须不停地补充电子与电洞,所以称为“动态”,批发200度存储器厂家,只要电脑的电源关闭,200度存储器,电容所储存的电子与电洞就会流失,DRAM 所储存的资料也就会流失。
要解决这个问题,的就是使用介电常数够大(K 值够大)的材料来取代“氧化矽”为绝缘体,让电子与电洞可以储存在电容里不会流失。目前业界使用“钛锆酸铅”(PZT)或“钽铋酸锶”(SBT)这种介电常数很大(K 值很大)的“铁电材料”(Ferroelectric material)来取代氧化矽,则可以储存电子与电洞不会流失,让原本“挥发性”的动态随机存取存储器(DRAM)变成“非挥发性”的存储器称为“铁电随机存取存储器”(Ferroelectric RAM,FRAM)。
供应225度高温存储器
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不同种类的存储器分别有不同的储存容量、工作速度、单位价格:
储存容量:辅助存储器(GB)> 主存储器(MB)> 快取存储器(KB)> 暂存器(B)。
工作速度:辅助存储器(1ms)< 主存储器(10ns)< 快取存储器(1ns)< 暂存器(1ns)。
单位价格:辅助存储器 < 主存储器 < 快取存储器 < 暂存器。
210度大容量存储器价格
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铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器,是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体,如图3所示。当一个电场被施加到铁晶体管时,中心原子顺着电场停在低能量状态I位置,反之,当电场反转被施加到同一铁晶体管时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在另一低能量状态II。大量中心原子在晶体单胞中移动耦合形成铁电畴,铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高,铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低,这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以作为存储器。
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