亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,亲水处理,实验结果与透射谱测试结果一致.
当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理,反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时硅片表面张力r(SG)小于水分子表面张力r(SL)。亲水性表面则属高能表面,基片亲水处理,这时的硅表面张力r(SG)大于水分子表面张力r(SL)。由此可知,玻璃表面亲水处理,硅表面成为亲水性的基本条件为A=r(SG)- r(SL)>0
疏水是指各种蒸汽营道和用汽设备表接触角(A大于九十度的蒸汽凝结而的水,而由于水是极性分子,pet 亲水处理,而且能够形成屋,而经则多是范停华相互作用,偶极相互作用和氢键的销星比范德华力大的多,这使得水与经接触时倾向于自己与自己复装,而如果的与水接的更多会威少水和水之间的接貌,带来能星的上升、终基和水类似,与水接的时也能成复键以及慢极相回作用,能量和水之间接触差别不大。而疏水作用是决定生物分子的结构和性质的重要因素,特别是在蛋白质的折叠,分子与受体的相互作用中扮演着重要的角色。
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