硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r(SL)- r(SG)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(SG)下降,或者r(SL)上升。方法还是改变其表面结构,使 r(SG)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,亲水处理目的,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,涂层亲水处理,Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构,表面呈疏水性。
细胞内部是疏水环境还是亲水环境?
除了细胞内部的膜系统外,基本是亲水环境。
细胞内部时刻时行着生化反应,这些反应本质上就是化学反应,除少数反应外,都是在水溶液体系中进行的,所以细胞内部必须是亲水环境。只有在物质进出的膜体系上,广东亲水处理,才可能出现疏水环境,以限制某些成分的流动。
在生物体内(包括细胞内部),水的一大生理作用就是作为物质的溶剂。
即硅片表面必须由低能转化为高能表面。从A=r(SG)- r(SL)>0式可以看出:完成上述转化的条件为或者使r(SG).上升,或者r(SL)下降。由于清洗液大多为无机碱、酸的水溶液,知这时r(SL).几乎不变。因此,怎么亲水处理,的方法是改变r(SG), 使之增加。由于结构完整的纯净硅表面r(SG)是固定的,要改变其r(SG),只能改变其表面结构。实际上,硅片经过清洗液洗后,表面Si大部分以O键为终端结构,即表面非定形SiOx结构,利用其高r(SG)值达到硅表面吸附水分子的效果。亲水处理后,硅表面结构
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