




1.高功率激光系统和核聚变研究 1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议,1965年立项开始研究。经几年努力,建成了输出功率10(上标10)瓦的纳秒级激光装置,并于1973年5月在低温固靶、常温化锂靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国一台多程片状放大器,把激光输出功率提高了10倍,中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理后,积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统,对充气玻壳靶照射,获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破,余姚激光打标机,使我国的激光聚变研究进入世界***行列,也为以后长期的持续发展奠定了基础。
2.激光研究 1966年12月,科委主持召开了激光规划会,48个单位130余人参加,会议制定了包括含15种激光整机、9种支撑配套技术的发展规划。虽未正式批准生效,激光切割机打标机厂家,但仍起了有益的推动作用。此后的几年内,这一领域涌现了一批重要成果。

同时,作为具有高亮度、高方向性、高质量等优异特性的新光源,激光很快应用于各技术领域,显示出强大的生命力和竞争力。通信方面,1964年9月用激光演示传送电视图像,1964年11月实现3~30公里的通话。工业方面,1965年5月激光打孔机成功地用于拉丝模打孔生产,获得显著经济效益。医学方面,1965年6月激光焊接器进行了动物和临床实验 。方面,1965年12月研制成功激光漫反射测距机(精度为10米/10公里),1966年4月研制出遥控脉冲激光测速仪。

由于半导体二极管几乎只发一种波长的光,所以由它泵浦产生的激光的单色性更好,无缝对接激光打标机,激光的模式更佳,好的激光模式会使激光聚焦后的光点更小,能量更集中,取得更好的标记效果;
半导体及灯泵浦激光器都是采用ND:YAG(掺钕钇铝石榴石)晶体作为激光产生的材料,农副产品激光打标机,它可将808nm的可见光转换为1064nm的不可见的激光,但输出激光的另一个更关键的因素是使晶体棒输出激光的泵浦源,半导体泵浦是利用半导体二极管发出808nm的光波;而灯泵浦是利用灯发出的光来泵浦,但灯发出的光的光谱较广,只是在808nm处有一个稍大的峰值,其它波长的光后都变成无用的热量散发掉了。


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