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九鼎（天津）新材料科技有限公司
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为了观察到复合材料界面区的二次电子像，应用某种方法将材料的界面区域暴露于试样表面。例如：
将纤维增强复合材料中的纤维拉出，暴露出纤维表面和原先与纤维相结合的基体表面，这是受到或多或少损坏的界面。
另一个常用的方法是对复合材料施力，使其沿设定的方向断裂。对脆性材料，可在常温下实施；而对韧性复合材料，可用冷冻断裂法，FIB电镜制样机构，在液氮温度下将材料脆性断裂，暴露出包含基体、增强体和界面的区域。
还有一种方法是将暴露了界面区的端面或断裂面，在超薄切片机上用金刚石刀或玻璃刀切平。
从电子中发射出高能电子束撞击样品表面，与原子的内层电子发生非弹性散射作用时，使原子发生电离，从而使原子失去一个内层电子而变成离子，并在该电子层对应位置产生一个空穴，原子为了恢复到稳定态，较外层的电子就会填补到这个空穴，在填补过程中同时会产生具有特征能量的X射线，探测器接收到这些特征X射线后，经过分析处理转换得到谱图和分析数据输出。
当以背散射电子为调制信号时，由于背散射电子能量比较高，穿透能力强，可从样品中较深的区域逸出(约为有效作用深度的30%左右)。在此深度范围，入射电子已有了相当宽的侧向扩展，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，山东FIB电镜制样，一般在500～2000nm左右。
当扫描电镜的电子束轰击试样表面时，电子束会进入试样内部，产生散射现象，电子束在散射后会改变前进方向，而且还会损失部分能量，随之而来产生各种其他信息，如热、俄歇电子、X射线、可见光、二次电子、背散射电子等。
当入射电子与试样相互作用后，其中有一部分电子会返回表面逸出，FIB电镜制样中心，则这部分被返回表面逸出的原入射电子被称为背散射电子。在实际成像过程中，通常以能量大小对电子信息进行分类，能量大于50eV而小于入射束能量E0的电子称为背散射电子，大部分背散射电子的能量约为原入射能量E0的0.7～0.9倍。利用背散射电子来成像所获得的图像称为背散射电子像。背散射电子像在电镜成像中的使用率和图像的分辨力也都比较高，仅次于一次电子像。
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