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钨铜主要性能要求是耐电弧烧蚀、抗熔焊、截止电流小、含气量少、热电子发射能力低等。除常规宏观性能要求外,还要求气孔率,微观组织性能,故要采取特殊工艺,需真空脱气、真空熔渗等复杂工艺。
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钨铜保持二极管机关器的温度,在微电子封装模具除了传统的散热,更苛刻的应用是铜/钨或钨铜金属基复合材料(MC)的半导体激光二极管的坐骑和底座。目前,大多数半导体激光二极管的安装上安装或WCU制成的热沉。改进散热器和模具之间的热膨胀匹配,再加上目前的趋势,增加芯片尺寸和功率耗散要求,取得了钨铜包装激光二极管的材料。
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钨铜材料生产工艺钨金属与铜金属的熔点相差很大,而且钨金属与铜金属的密度也相差很大,cuw90钨铜棒,且钨铜不互溶,因此钨铜复合材料只能采用粉末冶金方法制备。从提高材料的致密度等性能出发,国内外学者对钨铜材料的制备工艺进行了大量研究,形成了多种烧结方法。
钨铜综合了金属钨和铜的优点,其中钨熔点高(钨熔点为3410℃,铁的熔点1534℃) ,密度大(钨密度为19.34g/cm3,铁的密度为7.8g/cm3) ;铜导电导热性能***。
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