SS520BF二极管-二极管-ASEMI

编辑：ll

摘要 : ASEMI快恢复二极管采用的是与肖特基相同的结构框架，其芯片采用的是与米克朗类似的设计，并根据快恢复二极管特性加以优化，使其性能更加优良

ASEMI半导体快恢复二极管芯片解读：

ASEMI快恢复二极管采用的是与肖特基相同的结构框架，其芯片采用的是与米克朗类似的设计，并根据快恢复二极管特性加以优化，使其性能更加优良：

ASEMI半导体快恢复芯片

ASEMI快恢复因采用了与肖特基类似的生产工艺，所以这里就不多做其芯片稳定性与散热性的叙述，二极管，ASEMI快恢复在优化方面做的主要是芯片压降上的考虑，在设计之初，考虑到快恢复有着整流桥和肖特基的一部分特性，因此为了大程度的发挥其两方面的优势，在压降方面作调整，使得ASEMI快恢复二极管可以更好的应用于整流桥和肖特基所不适合的领域，生产对芯片性能加工时完全采用米克朗前端工艺，但在后期使之压降降低，减少电器在此方面的消耗，通过这一设计的施行，同时解决了发热和耐高温两个很重要的因素，使产品的寿命大大增加，提高了产品的使用率。

编辑：ll

摘要 : 导读：ASEMI半导体这个品牌自打建立以来，就一直不间断在研发半导体各类元器件，SR3100二极管，在半导体的制程和原理上可谓已经是精益求精，今天ASEMI半导体要和大家一起分享的，就是这个半导体的制程

导读：ASEMI半导体这个品牌自打建立以来，就一直不间断在研发半导体各类元器件，在半导体的制程和原理上可谓已经是精益求精，今天ASEMI半导体要和大家一起分享的，就是这个半导体的制程和原理。

半导体工业上的制造方法，其实归根究底，就是在矽半导体上制造电子元器件，电子元器件包括很多品种：整流桥，二极管，电容等各种IC类，更复杂的还有整流模块等等。ASEMI半导体的每一个电子元器件的完成都是由精密复杂的积体电路所组成，我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术，所须制程多达二百至三百个步骤。

半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能，那么他的原理又是什么呢？

一般固体材料依导电情形可分为导体、半导体及绝缘体。半导体通常采用矽当导体，因为化学元素的矽晶体内，每个原子都能贡献四个价电子，而矽原子内部原子核带有四个正电荷。相邻原子间的电子对，构成了原子间的束缚力，这样的环境能将电子被紧紧地束缚在原子核附近。当温度升高时，ASEMI半导体的热能使某些共价键发生反映形成传导。

编辑：ll

摘要 : MBR20200FCT是肖特基二极管系列当中******的一款产品，其整流电流为20A，SS520BF二极管，反向耐压200V，它为何能成为其中******的一款产品呢，让我们从它的结构原理和参数来看一下

ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT导读：

MBR20200FCT是肖特基二极管系列当中******的一款产品，SS310A二极管，其整流电流为20A，反向耐压200V，它为何能成为其中******的一款产品呢，让我们从它的结构原理和参数来看一下：

ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT的结构与原理

MBR20200FCT内含两个阴极相连的肖特基二极管，要组成桥需要两个MBR20200FCT，其两个交流输入极要互相连接，在每次交流方向变化时，都会有两个二极管在工作，利用二极管单向导通的特性，把方向不断变化的电流变为同一方向。

ASEMI肖特基二极管参数

肖特基二极管MBR20200FCT其整流电流为20A，可以满足绝大部分开关电源功率输出的使用，输出功率可达300W，正因为它可如此广泛的应用在大多数电源上，使得市场上对它的需求大增。