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击穿区：压敏电阻器两端施加一大于压敏电压的过电压时，其导电属于隧道击穿电子电导机理(Rb与Rg相当)，其伏安特性呈优异的非线性电导特性，即：

通过压敏电阻器的电流                   与配方和工艺有关的常数

I=CVα其中

压敏电阻器两端的电压                  α为非线性系数，一般大于30

由上式可见，在击穿区，压敏电阻器端电压的微小变化就可引起电流的急剧变化，压敏电阻器正是用这一特性来抑制过电压幅值和吸收或对地释放过电压引起的浪涌能量。

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为了观察烧结成品晶粒生长情况，气孔率，致密性等，分析元素的掺杂等对成品性能的影响，对制得的ZnO陶瓷成品断口进行观测。样品1与样品2相比较小且大小不等、杂乱无章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈现多样性生长趋势。(3)ZnO主晶相之间存在较多存在孔洞、缝隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸为10

～15um，且小尺寸晶粒数量大量减少，尺寸生长比较均匀；(2)晶粒形貌大多呈现正多边形或圆形生长趋势、晶粒生长堆积紧密；总之，掺杂TiO2的样品与未掺杂TiO2的样品相比从显微结构上看晶粒形貌规整，结构均匀、致密，晶粒较大。样品3.ZnO主晶相之问存在较多存在孔洞、缝隙；图晶界出现了大量液相熔融，且晶界较宽，而且晶粒边缘有尖晶石相存在使晶粒长大受限；相比较样品2.晶粒尺寸又变的不均匀，出现极大和***颗粒。总之，随着TiO2的加入ZnO压敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量过多时，ZnO压敏陶瓷的电性能开始恶化。TiO2的掺杂会使氧化锌压敏陶瓷的平均晶粒明显增大，但掺杂量过多时会产生大量Zn2Ti04尖晶石相阻碍晶粒进一步长大。

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