陶瓷电容和高频瓷介电容区别在哪里?
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  • 高频瓷介电容器频率特性好,Q值高,温度系数小;不能做成大的容量;广泛应用在高频电器中,并可用作标准电容器玻璃釉电容器。性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V。
  • 高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言,可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于减弱了空气间隙,温度系数大为下降,电容稳定性也比箔片式高。
  • 陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
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