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批发与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍； 全文

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报价（5）数据中心和通讯电源 SiC MOSFET的高频特性使得电源电路中的磁性单元体积更小、重量更轻，SiC JBS反向恢复时间“零”特性使得电路的开关损耗大幅度降低，在数据中心和通讯电源中具有巨大.. 全文