哪位知道半导体XRD检测具体的分析方式与步骤？ 帮忙解答一下

“半导体XRD检测的分析方法和步骤：1、在衍射仪获得的XRD图谱上，如果样品是较好的“晶态“物质，图谱的特征是有若干或许多个一般是彼此独立的很窄的“尖峰”。 2、如果这些“峰”明显地变宽，则可以判定样品中的晶体的颗粒尺寸将小于300nm，可以称之为“微晶。 3、Scherrer (1918)揭示了衍射峰的增宽是对应晶面方向上的原子厚度(层数)不足以在偏离Bragg条件下相干减弱(destructivelyinterference)衍射峰。 当衍射峰宽度增加到接近其高度时(或高度下降到接近其宽度时), 可认为样品是非晶。 4、同一物质的话，峰窄说明晶粒比较大，和结晶度无关。同一台仪器测试且测试条件相同的情况下，峰高的比较多才能说明结晶情况较好。

半导体XRD检测常规扫描可以知道晶体的物相，用高温附件可知道在温度变化情况下的物相变化。小角衍射可知道粘土等层状材料的层间距，掠入射模式可测得纳米薄膜材料厚度，还有些特殊工具可测晶体的残余应力、织构信息等。通过对XRD结果分析，还可以测得晶体掺杂情况、物相占比情况等等。

半导体XRD检测典型应用可以分为如图1所示的六大类：（1）晶体结构的确定和修正；（2）点阵常数的测定；（3）物相定量分析；（4）获得键长键角信息；（5）应力应变分析；（6）其他。