半导体XRD测试原理是什么？大家推荐一下

半导体XRD测试原理,是Bragg方程,即nλ=2*d*sinθ,其中λ为入射线波长,d为晶面间距,θ为衍射角.换言之,XRD对于晶体结构的测试才是有效的.因为晶体都会存在其特有的结晶学特征,也就是空间点阵,14种Bravais格子代表了其晶格类型,晶面参数又限定了其结点间的相对数量关系.于是,参考Bragg方程,让X射线通过晶体,只要满足Bragg衍射条件,便能提供晶体内原子排布的信息.所以,不管是采用德拜照相法、衍射仪法等,都会在θ角观测到衍射.当然,也可以说XRD的基础是Laue衍射条件,但其实它和Bragg衍射条件本质是一致的,只是表达不同.

“半导体XRD测试的操作步骤如下： 1.开实验室电源。 2.打开控制软件：打开桌面的“XG Operation” , 进入“XG control RINT2200 Target：Cu” 窗图。 3.测试样品放置： 压好样品后，把样品放入仪器前，一定要按仪器面板上的“DOOR OPEN”！直到听见断续的“哔、哔、…”蜂鸣声，才可以打开仪器的铁门放置样品，取出样品同样操作，否则，不然会伤害人体！且损害仪器。 4.仪器对样品测试： 打开右系统样品测试控制软件：进入Standard measurement[Right]窗口，注意此窗的Use列：Yes则用此行的测量条件，要求此列别的均为”No”；改好路径名（Folder name）以及文件名（File name）；双击Condition列对应行的数字格，则进入该行的测量条件选择，按需求设置好各参数后，点击键，进入执行测量。 5.关机过程：按要求关闭控制软件，过 10分钟后 才能关冷却循环水电源：按“停止”。

半导体XRD测试典型应用可以分为如图1所示的六大类：（1）晶体结构的确定和修正；（2）点阵常数的测定；（3）物相定量分析；（4）获得键长键角信息；（5）应力应变分析；（6）其他。