半导体XRD测试分析方法和步骤？哪位大神能告诉我？

半导体XRD测试的操作步骤如下： 1.开实验室电源。 2.打开控制软件：打开桌面的“XG Operation” , 进入“XG control RINT2200 Target：Cu” 窗图。 3.测试样品放置： 压好样品后，把样品放入仪器前，一定要按仪器面板上的“DOOR OPEN”！直到听见断续的“哔、哔、…”蜂鸣声，才可以打开仪器的铁门放置样品，取出样品同样操作，否则，不然会伤害人体！且损害仪器。 4.仪器对样品测试： 打开右系统样品测试控制软件：进入Standard measurement[Right]窗口，注意此窗的Use列：Yes则用此行的测量条件，要求此列别的均为”No”；改好路径名（Folder name）以及文件名（File name）；双击Condition列对应行的数字格，则进入该行的测量条件选择，按需求设置好各参数后，点击键，进入执行测量。 5.关机过程：按要求关闭控制软件，过 10分钟后 才能关冷却循环水电源：按“停止”。

半导体XRD测试原理，是Bragg方程，即nλ=2*d*sinθ，其中λ为入射线波长，d为晶面间距，θ为衍射角。换言之，XRD对于晶体结构的测试才是有效的。因为晶体都会存在其特有的结晶学特征，也就是空间点阵，14种Bravais格子代表了其晶格类型，晶面参数又限定了其节点间的相对数量关系。

半导体XRD测试可以从以下步骤简单分析： 1、定性分析（XRD的主要功能），通过八强峰匹配标准pdf卡片，得知样品是由哪些物质构成的。 2、通过看峰宽等来分析结晶度，峰越尖锐，结晶度越好。 3、看信噪比，信噪比越高，说明这张XRD图拍得越好，越精i确。 当然，还有许多信息，包括物质晶系、晶胞参数、各物质定量分析、等，但是那个不是简单分析了。