100N10-ASEMI工作原理是什么？
-TH MOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;通过工艺上的改进.. 全文
24N50-ASEMI为什么叫MOS管？
-TH 普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很.. 全文
100N10-ASEMI规格参数资料哪里查看？
-TH MOSFET（场效应管）的主要参数: 3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS 全文
