100N10-ASEMI工作原理是什么？
-TH MOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;通过工艺上的改进.. 全文
D50XT100-ASEMI规格书有吗？
8L-全桥的正向电流有5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（反向电压）有50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、700V、800V、900V、1000V、.. 全文
帮个忙，7N60-ASEMI使用寿命是多久？有人知道吗？
-Lx ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏.. 全文
UA80-ASEMI可以应用在哪些产品上？
TH- 桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点 全文
